Функциональная схема
|
    1 - инвертирующий вход К1;     2 - неинвертирующий вход К1;     3 - неинвертирующий вход К3;     4 - инвертирующий вход К3;     5 - выход К3;     6 - выход К1;     7 - выход К2;     8 - напряжение питания;     9,11 - свободный;     10 - общий;     12 - опорное напряжение;     13 - неинвертирующий вход К2;     14 - инвертирующий вход К2; |
Функциональная схема
|
1 - опорное напряжение; 2 - вход лог.0 (сброса); 3 - конденсатор задержки; 4 - общий; 5 - выход лог.0 (инверсный выход сброса); 6 - выход лог.1 (прямой выход сброса); 7 - следящий вход; 8 - напряжение питания; |
Функциональная схема
|
1 - эммитер VT2; 2 - коллектор VT2; 3 - вход симметрирования; 4 - напряжение питания; 5 - опорное напряжение; 6 - вход контроля повышения напряжения; 7 - выход контроля повышения напряжения; 8 - вход токовой защиты (+); 9 - вход токовой защиты (-); 10,17 - свободные; 11 - вход обратной связи; 12 - общий; 13 - вход частотной коррекции; 14 - выход усилителя рассоглосования; 15 - вход контроля снижения напряжения; 16 - выход контроля снижения напряжения; 18 - вывод задания частоты (R); 19 - вывод задания паузы (R); 20 - вывод задания частоты (C); 21 - вход внешней синхронизации; 22 - выход компаратора ШИМ; 23 - коллектор VT1; 24 - эммитер VT1; |
Функциональная схема
|
1 - опорное напряжение; 2,5 - инвертирующие входы; 3,4 - неинвертирующие входы; 6 - частотная коррекция; 7 - регулировка паузы; 8 - вывод задания частоты (C); 9 - вывод задания частоты (R); 10 - коллектор VT1; 11 - эмиттер VT1; 12 - эмиттер VT2; 13 - коллектор VT2; 14 - напряжение питания; 15 - общий; 16 - блокировка фазорасщепителя; |
Функциональная схема
1 - неинвертирующий вход ОУ 1; 2 - инвертирующий вход ОУ 1; 3 - выход усилителей; 4 - установка паузы; 5 - вывод задания частоты (C); 6 - вывод задания частоты (R); 7 - общий; 8 - коллектор VT1; 9 - эмиттер VT1; 10 - эмиттер VT2; 11 - коллектор VT2; 12 - напряжение питания; 13 - блокировка двухтактного выхода; 14 - выход источника опорного напряжения; 15 - инвертирующий вход ОУ 2; 16 - неинвертирующий вход ОУ 2;
Электрические параметры
Источник опорного напряжения
| 1 | Выходное напряжение при Iвых=1 мА | 4,75...5,25 |
| 2 | Ток короткого замыкания при Uоп=0, Rн=1 Ом | -50...-10 мА |
| 3 | Нестабильность по напряжению при Uп=7...40 В | не более 0,02 %/В |
| 4 | Нестабильность по току при Iвых=1...10 мА | не более 0,04 %/В |
| 5 | Температурный коэффициент напряжения | не более 0,01 %/ ° C |
Выходные драйверы
| 1 | Напряжение насыщения     с общим эмиттером при Uэ=0, Iк=0,2 А     эмиттерный повторитель при Uк=15 В, Iэ=-0,2 А |
  не более 1,5 В не более 2,5 В |
| 2 | Ток утечки коллектора при Uп=40 В, Uкэ=40 В | не более 100 мкА |
| 3 | Ток утечки эмиттера при Uп=40 В, Uк=40 В Uэ=0 | не более |-150| мкА |
| 4 | Входной ток низкого уровня по выводу 14 | 10 мкА |
| 5 | Входной ток высокого уровня по выводу 14 | не более 3,5 мА |
| 6 | Время нарастания сигнала | не более 100 нс |
| 7 | Время спада сигнала (эмиттерный повторитель) | не более 200 нс |
Усилитель ошибки
| 1 | Диапазон синфазных входных напряжений при Uп=7...40 В | -0,3...(Uп-2) В |
| 2 | Напряжение смещения нуля при U3=2,5 В | не более 2 мВ |
| 3 | Входной ток при U3=2,5 В | не более 1 мА |
| 4 | Разность входных токов при U3=2,5 В | не более 0,25 мА |
| 5 | Выходной ток низкого уровня по выводу 3 при U3=0,7 В | 0,7 мА |
| 6 | Выходной ток высокого уровня по выводу 3 при U3=0,7 В | -4 мА |
| 7 | Коэффициент усиления напряжения при Uвых=0,5...3,5 В, Rн=2 кОм | не менее 70 дБ |
| 8 | Коэффициент ослабления синфазных входных напряжений Uп=40 В | не менее 65 дБ |
| 9 | Коэффициент влияния нестабильности источника питания при Uп=7...40 В, Uвых=2 В, Rн=2 кОм | 100 дБ |
| 10 | Частота единичного усиления при Uвых=0,5...3,5 В, Rн=2 кОм | 350 МГц |
ШИМ-компаратор
| 1 | Входное напряжение по выводу 3 | не более 4,5 В |
| 2 | Входной ток низкого уровня по выводу 3 при U3=0,7 В | 0,7 мкА |
Компаратор паузы
| 1 | Входное пороговое напряжение | не более 3,3 В |
| 2 | Входной ток по выводу 4 при U4=0...5,25 В | не более |-10| мкА |
| 3 | Отношение максимальной длительности выходного импульса к периоду при U4=0, С=0, R=12 кОм | 45...50 % |
Электрические параметры
| 1 | Опорное напряжение при Uп=8 В, Iвых.комп=0     К1114СП1А     К1114СП1Б |
  3,8...4,2 В 3,7...4,3 В |
| 2 | Остаточное напряжение при Uп=8 В, Iвых.комп=10 мА | не более 0,8 В |
| 3 | Напряжение гистерезиса при Uп=8 В, Iвых.комп=0 Uком=5 В     К1114СП1А     К1114СП1Б |
  не более 5 мВ не более 10 мВ |
| 4 | Напряжение срабатывания     К1114СП1А     К1114СП1Б |
  -5...+5 мВ -10...+10 мВ |
| 5 | Входное напряжение     выводы 1,2,13,14     выводы 3,4 |
  -0,1...+4,5 В -0,1...+2,5 В |
| 6 | Ток закрытой микросхемы при Uп=36 В, Iвых.комп=0 Uком=36 В     К1114СП1А     К1114СП1Б |
  не более 100 мкА не более 150 мкА |
| 7 | Входной ток компаратора при Uп=8 В, Iвых.комп=0 Uком=5 В | не более 5 мкА |
| 8 | Выходной ток ИОН и компараторов | 10 мкА |
| 9 | Ток потребления при Uп=36 В, Iвых.комп=0, Uком=5 В | не более 8 мА |
| 10 | Нестабильность по напряжению ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0     К1114СП1А     К1114СП1Б |
  не более 0,01%/B не более 0,02%/B |
| 11 | Нестабильность по току ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0 | не более 10%/А |
| 12 | Время задержки переключения | 5 мкс |
| 13 | Длительность фронта и спада импульса выходного напряжения | 2 мкс |
| 14 | Температурный коэффициент ИОП при Uп=8 В, Iвых.комп=0     К1114СП1А     К1114СП1Б |
  не более 0,01%/ ° C не более 0,02%/ ° C |
Электрические параметры
| 1 | Опорное напряжение при Uп=10 В | 2,45...2,55 В |
| 2 | Ток потребления при Uп=10 В | не более 3,2 мА |
| 3 | Нестабильность по напряжению источника опорного напряжения при Uп1=5 В, Uп2=18 В |
не более 0,03 %/В |
| 4 | Температурный коэффициент источника опорного напряжения при Uп=18 В |
не более 0,015 %/ ° C |
| 5 | Длительность спада (фронта) выходного импульса при Uп=5 В |
не более 1 мкс |
Электрические параметры
| 1 | Напряжение питания | 10...20 В |
| 2 | Опорное напряжение     К1114ЕУ1А     К1114ЕУ1Б |
  2...3 В 1,8...2,8 В |
| 3 | Остаточное напряжение | не более 1,5 В |
| 4 | Напряжение гистерезиса узла контроля повышения напряжения | не более 100 мВ |
| 5 | Напряжение гистерезиса узла контроля понижения напряжения     К1114ЕУ1А     К1114ЕУ1Б |
  не более 100 мВ не более 150 мВ |
| 6 | Напряжение гистерезиса узла защиты по току | не более 100 мВ |
| 7 | Ток потребления     К1114ЕУ1А     К1114ЕУ1Б |
  не более 30 мА не более 40 мА |
| 8 | Коэффициент усиления напряжения усилителя рассоглосования | 20...100 |
Электрические параметры
| 1 | Напряжение питания | 9...36 В |
| 2 | Опорное напряжение при Uп=9 В, Uком.вх.=10 В, Iвых=0 | 4,7...5,3 В |
| 3 | Остаточное напряжение при Uп=9 В, Uком.вх.=10 В, Iвых=0, fком=10 кГц | не более 1,5 В |
| 4 | Ток закрытой микросхемы при Uп=9 В, Uком.вх.=40 В, Iвых=0 | не более 50 мкА |
| 5 | Ток потребления при Uп=36 В, Uком.вх.=10 В, Iвых=0 | не более 15 мА |
| 6 | Температурный коэффициент опорного напряжения | не более 0,01 %C |
| 7 | Нестабильность по напряжению ИОП при Uп=36 В, Uком.вх.=10 В, Iвых=0 | не более 0,05 % |
| 8 | Длительность фронта (среза) импульса выходного тока | не более 200 нс |
Электрические параметры
| 1 | Напряжение питания | 12 В 5 % |
| 2 | Опорное напряжение | 4,5...5,5 В |
| 3 | Остаточное напряжение | не более 1,3 В |
| 4 | Ток закрытой микросхемы | не более 100 мкА |
| 5 | Ток потребления | не более 20 мА |
| 6 | Длительность фронта импульса выходного тока | не более 100 нс |
| 7 | Длительность среза импульса выходного тока | не более 200 нс |
| 8 | Температурный коэффициент опорного напряжения | не более 0,03 %/ ° C |
| 9 | Нестабильность по напряжению ИОП | не более 0,05 % |
| 10 | Нестабильность по току ИОП | не более 1 % |
Нестабильность частоты по напряжению при
Генератор пилообразного генератора
| 1 | Частота генерирования при C=1 пФ, R=30 кОм | 40 кГц |
| 2 | Нестабильность частоты по напряжению при Uп=7...40 В | 0,03 %/В |
| 3 | Температурный коэффициент частоты | не более 0,03 %/ ° C |
Делитель частоты на два
| 1 | Входной ток низкого уровня по выводу 13 при U13=0,4 В | не более |-200| мкА |
| 2 | Входной ток высокого уровня по выводу 13 при U13=2,4 В | не более 200 мкА |
Стабилитрон
| 1 | Напряжение пробоя при Iст=2 мА | 39 В |
| 2 | Входной ток при U15=1 В | 0,3 мА |
Для всей микросхемы
| 1 | Ток потребления в состоянии покоя     при Uп=15 В, U6=Uоп     при Uп=40 В, U6=Uоп |
  не более 10 мА не более 15 мА |
| 2 | Средний ток потребления при Uп=15 В, U4=2 В, C=0,01 мкФ, R=12 кОм | 7 мА |
Параметры интегральных микросхем 1114 серии
| |
| // |
| К1114ЕП1 | Схема контроля напряжения питания |
| К1114ЕУ1 | Многофункциональная схема для управления импульсными источниками вторичного электропитания |
| К1114ЕУ3 | Многофункциональная схема для управления импульсными источниками вторичного электропитания с частотой коммутации до 400 кГц |
| К1114ЕУ4 | Многофункциональная схема для управления импульсными источниками вторичного электропитания с частотой коммутации до 200 кГц |
| К1114ЕУ5 | Схема управления силовыми ключами, импульсными стабилизаторами напряжения, преобразователями тока и напряжения с использованием ШИМ-регулирования |
| К1114СП1 | Схема допускового контроля режимов работы источников питания и уровней сигналов постоянного и переменного тока |
| Техническая документация |
Принципиальные схемы |
Программное обеспечение |
Литература | Новости |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания | 8...36 В |
| 2 | Rоммутироемое напряжение | не более 36 В |
| 3 | Выходной ток ИОП | не более 10 мА |
| 4 | Выходной ток компаратора | не более 10 мА |
| 5 | Рассеиваемая мощность     при T=-10...+40 ° C     при T=+70 ° C |
  0,8 Вт 0,4 Вт |
| 6 | Температура окружающей среды | -10...+70 ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания | 3,5...18 В |
| 2 | Напряжение на входе управления | 0...6 В |
| 3 | Напряжение на входе разрешения низкого уровня | 0...0,8 В |
| 4 | Напряжение на входе разрешения высокого уровня | 2...18 В |
| 5 | Выходной ток неинвертирующего выхода | не более |-1| мА |
| 6 | Выходной ток инвертирующего выхода | не более 16 мА |
| 7 | Рассеиваемая мощность | не более 0,25 Вт |
| 8 | Температура окружающей среды | -10...+70 ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Входное коммутируемое напряжение     К1114ЕУ1А     К1114ЕУ1Б |
  36 В 32 В |
| 2 | Выходной ток     К1114ЕУ1А     К1114ЕУ1Б |
  100 мА 80 мА |
| 3 | Коммутируемая мощность     К1114ЕУ1А     при Uком.вх.=0...20 В     при Uком.вх.=36 В     К1114ЕУ1Б     при Uком.вх.=0...20 В     при Uком.вх.=32 В |
    2 Вт 1,5 Вт   1,6 Вт 1,3 Вт |
| 4 | Частота коммутации     К1114ЕУ1А     К1114ЕУ1Б |
  1...200 кГц 1...100 кГц |
| 5 | Температура окружающей среды | -45...+85 ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания     в предельном режиме |
9...36 В 7...38 В |
| 2 | Входное коммутироемое напряжение     в предельном режиме |
2...40 В 1...42 В |
| 3 | Входной ток     в предельном режиме |
не более 200 мА не более 250 мА |
| 4 | Рассеиваемая мощность | не более 0,8 Вт |
| 5 | Частота коммутации     в предельном режиме |
4...400 кГц 0,1...500 кГц |
| 6 | Температура окружающей среды | -10...+100 ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания | 7...40 В |
| 2 | Входное коммутироемое напряжение | не более 40 В |
| 3 | Выходной ток | 200 мА |
| 4 | Выходной ток ИОП | 10 мА |
| 5 | Рассеиваемая мощность     при T=-10...+25 ° C     при T=+70 ° C |
  1 Вт 0,5 Вт |
| 6 | Частота коммутации | 200 кГц |
| 7 | Температура окружающей среды | -10...+70 ° C |
Предельно допустимые режимы эксплуатации
| 1 | Напряжение питания | 7...40 В |
| 2 | Входное коммутироемое напряжение | не более 40 В |
| 3 | Входное напряжение усилителя ошибки | -0,3...(Uп-2) В |
| 4 | Коммутируемый ток | не более 0,2 А |
| 5 | Входной ток высокого уровня по выводу 3 | не более 0,3 мА |
| 6 | Выходной ток по выводу 16 | не более 10 мА |
| 7 | Рассеиваемая мощность | не более 1 Вт |
| 8 | Частота генерирования 1...200 кГц | не более 1 Вт |
| 9 | Времязадающий резистор R | 1,8...500 кОм |
| 10 | Времязадающий конденсатор C | 0,00047...10 мкФ |
| 11 | Температура кристалла | не более 150 ° C |
| 12 | Температура окружающей среды | 0...+70 ° C |
Рекомендации по применению
Допускается использовать источник опорного наряжения в качестве маломощного стабилизатора фиксированного напряжения с выходным током до 10 мА. ИОП имеет защиту от короткого замыкания с порогом ограничения выходного тока 20...25 мА. Допускается использование компараторов в качестве RC-генераторов, формирователей импульсов калиброванной длительности и узлов временной звдержки импульсов. В случае использования отдельных компараторов рекомендуется подключать неинвертирующий вход неиспользованных компараторов к ИОП, а их инвертирующий вход к общей шине. При всех условиях эксплуатации напряжение на входах компараторов должно находиться в пределах -0,2...+6 В. ИС сохраняет работоспособность при снижении напряжения питания до 5,5 В. ИС допускает кратковременное (до 1 с) увеличение выходных токов до 20 мА. Суммарная емкость радиокомпонентов и монтажа, подклюменных к выходным транзисторам, не должна превышать 0,1 мкФ.
Рекомендации по применению
Допускается подключение нагрузки в цепь коллектора или эмиттера выходных транзисторов. При включении нагрузки в цепь эмиттера выходных транзисторов остаточное напряжение не превышает 3 В при Iвых=200 мА. Допускается параллельная работа выходных транзисторов на общую нагрузку. Для осуществления синхронной работы выходных транзисторов и увеличения выходного тока до 0,4 А необходимо соеденить вывод 16 с общей шиной. Допускается использовать источник опорного наряжения в качестве маломощного стабилизатора фиксированного напряжения с выходным током до 5 мА. Допускается изменение коэффициентов усиления и частотной коррекции с помощью резисторов и конденсаторов, включаемых между выходом усилителей (вывод 6) и их входами (выводы 4,5 и 2,3). При этом выходной ток усилителей не должен превышать 1 мА, а входной 0,3 мА. Напряжение на выводах 4,5,2,3 и 7 должно находиться в пределах 0...5 В. Суммарная емкость радиокомпонентов и монтажа, подключенных к выходным транзисторам, не должна превышать 510 пФ. Частота генератора пилообразного напряжения определяется по формуле: F=1/(0,6...0,8)R1C1, где R1,C2 - резистор и конденсатор задания частоты. Допускается монтаж ИС в аппаратуру 2 раза, демонтаж 1 раз. Допустимое значение статического потенциала 500 В.
Рекомендации по применению
Допускается подключение нагрузки в цепь коллектора или эмиттера выходных транзисторов. При включении нагрузки в цепь эмиттера выходных транзисторов остаточное напряжение не превышает 3 В при Iвых=200 мА. Допускается параллельная работа выходных транзисторов на общую нагрузку. Для осуществления синхронной работы выходных транзисторов и увеличения выходного тока до 0,4 А необходимо соеденить вывод 13 с общей шиной. Допускается использовать источник опорного наряжения в качестве маломощного стабилизатора фиксированного напряжения с выходным током до 5 мА. Допускается изменение коэффициентов усиления и частотной коррекции с помощью резисторов и конденсаторов, включаемых между выходом усилителей (вывод 3) и их входами (выводы 1,2 и 15,16). При этом выходной ток усилителей не должен превышать 1 мА, а входной 0,3 мА. Допускается монтаж ИС в аппаратуру 2 раза, демонтаж 1 раз. Допустимое значение статического потенциала 200 В.
